Vishay SI1912EDH-T1-E3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor 20 V / 1.13 A, 6-Pin SOT-363
- RS Best.-Nr.:
- 710-3235
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1912EDH-T1-E3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1.13 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | SOT-363 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 280 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.45V | |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V | |
| Breite | 1.25mm | |
| Länge | 2.05mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 1.13 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße SOT-363 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 280 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.45V | ||
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V | ||
Breite 1.25mm | ||
Länge 2.05mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 0.9mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN
Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor