Vishay IRF510 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 5.6 A 43 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 708-5134P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF510PBF
- Hersteller:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 100 Stück (geliefert in Stange)*
€ 54,40
(ohne MwSt.)
€ 65,30
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 3 030 Einheit(en) mit Versand ab 24. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 240 | € 0,544 |
| 250 - 490 | € 0,448 |
| 500 - 990 | € 0,398 |
| 1000 + | € 0,373 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 708-5134P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF510PBF
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IRF510 | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 540mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.3nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 43W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 2.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.41mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Breite | 4.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IRF510 | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 540mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.3nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 43W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 2.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.41mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 9.01mm | ||
Breite 4.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRF510 von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 100 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 5,6 A – IRF510PBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Durchsteck-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Verstärkungsaufgaben in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine moderate Strombelastbarkeit und eine hohe Spannungsabsperrfähigkeit in einem TO‐220AB-Gehäuse erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 100 V Drain-Source-Nennleistung für Hochspannungsschaltfähigkeit • 5,6 A kontinuierlicher Ablassstrom für mäßige Lastverarbeitung • 540 mΩ Rds(on), um Leitungsverluste unter Last zu begrenzen • 43 W Verlustleistung zur Unterstützung des thermischen Kopfraums in Baugruppen • 20 V Gate-Source-Grenze ermöglicht flexible Antriebsspannungen • 8,3 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Schaltprofile
Anwendungen
• Geeignet für Motortreiberstufen in Automatisierungsanlagen • Ideal für das Schalten der Stromversorgung in Labornetzgeräten • Wird für Lastschaltvorgänge in Prüf- und Messgeräten verwendet • Kann für analoge Verstärker-Ausgänge in Steuerungssystemen verwendet werden
Welche Betriebstemperaturen verträgt es in rauen Umgebungen?
Es funktioniert von -55 °C bis 175 °C und ermöglicht den Einsatz unter anspruchsvollen Temperaturbedingungen.
Wie ist das Gerät für mechanische und thermische Stabilität montiert?
Es verwendet eine Durchsteckmontage in einem TO-220AB-Gehäuse, die eine sichere Leiterplattenbefestigung und eine einfache Kühlung ermöglicht.
Welche Überlegungen zum Gate-Antrieb beeinflussen die Schaltleistung?
Die typische Gate-Ladung von 8,3 nC bei Nenn-Vgs beeinflusst die Treiberstromanforderungen und Schaltgeschwindigkeitskompromisse.
Was ist bei der Kopplung mit einem Kühlkörper zu beachten?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 43 W müssen der Wärmewiderstand des Kühlkörpers und der Luftstrom so dimensioniert werden, dass die Sperrschichttemperatur innerhalb der Grenzen bleibt.