DiodesZetex ZXMN6A09G N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 7.5 A 3.9 W, 4-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
708-2589P
Herst. Teile-Nr.:
ZXMN6A09GTA
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

ZXMN6A09G

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Durchlassspannung Vf

950mV

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24.2nC

Maximale Verlustleistung Pd

3.9W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.7mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.8mm

Länge

6.7mm

Automobilstandard

AEC-Q100

N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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