DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 115 mA 200 mW, 6-Pin SC-88
- RS Best.-Nr.:
- 708-2529P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002DW-7-F
- Hersteller:
- DiodesZetex
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 115mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SC-88 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.78V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 2.2mm | |
| Normen/Zulassungen | UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 Standards, J-STD-020C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 115mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SC-88 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.78V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 2.2mm | ||
Normen/Zulassungen UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 Standards, J-STD-020C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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