onsemi Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 15.5 A 65 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 688-9124P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTD20P06LT4G
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22mm | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22mm | ||
Höhe 2.38mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||