Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 200 A 230 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 688-7178
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL1404ZPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 75nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 230W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -16V, +16V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.4mm | |
| Länge | 10.66mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 75nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 230W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -16V, +16V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 8.77mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.4mm | ||
Länge 10.66mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 200A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 230W maximale Verlustleistung - IRL1404ZPBF
Dieser MOSFET wurde für eine hocheffiziente Leistung in verschiedenen Anwendungen entwickelt, insbesondere in den Bereichen Automatisierung, Elektronik und Elektrotechnik. Sie gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb unter extremen Bedingungen, was für fortschrittliche elektronische Systeme entscheidend ist. Sein robustes Design macht ihn zu einer bevorzugten Option für Ingenieure, die Lösungen für das Energiemanagement optimieren wollen.
Eigenschaften und Vorteile
• Geeignet für kontinuierliche Ableitströme bis zu 200 A
• Niedriger Drain-Source-On-Widerstand erhöht die Effizienz
• Geeignet für hohe Schaltgeschwindigkeiten zur Reduzierung von Energieverlusten
• Arbeitet in einem breiten Temperaturbereich von -55°C bis +175°C
• Bietet eine maximale Gate-Schwellenspannung von 2,7 V für Kompatibilität
• Entwickelt in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung für einfache Montage
Anwendungsbereich
• Verwendung in Leistungsverstärkern und Wandlern
• Eingesetzt in DC-DC-Schaltnetzteilen
• Integriert in die Motorsteuerungsschaltung
• Ideal für die Automobilindustrie und erneuerbare Energien
Wie hoch ist die maximale Spannung, die dieses Bauteil verarbeiten kann?
Er kann eine maximale Drain-Source-Spannung von 40 V verwalten.
Wie wirkt sich die Gate-Schwellenspannung auf den Betrieb aus?
Eine Gate-Schwellenspannung von 2,7 V gewährleistet eine effiziente Aktivierung des Bauelements und ermöglicht eine präzise Steuerung.
Kann dieses Bauteil in Umgebungen mit hohen Temperaturen verwendet werden?
Ja, er ist für den Betrieb bei bis zu +175 °C ausgelegt und damit für intensive Anwendungen geeignet.
Welche Bedeutung hat ein niedriger Drain-Source-Widerstand?
Der niedrige Widerstand minimiert die Leistungsverluste und verbessert so die Gesamteffizienz des Systems, insbesondere bei hohen Stromlasten.
Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon
Motorsteuerungs-MOSFET
Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung.
Synchrongleichrichter-MOSFET
Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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