STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10,5 A 190 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 687-5263
Herst. Teile-Nr.:: STP12NK80Z
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10,5 A 190 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 687-5263
Herst. Teile-Nr.:: STP12NK80Z
Hersteller:: STMicroelectronics

STB12NK80Z, STF12NK80Z, STP12NK80Z, STW12NK80Z, N-Channel 800V, 0.65 Ohm, 10.5A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	10,5 A
Drain-Source-Spannung max.	800 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	750 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	190 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	87 nC @ 10 V
Breite	4.6mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	10.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	9.15mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10,5 A 190 W, 3-Pin TO-220

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N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics

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