STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 900 V / 5.8 A 140 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
687-5140
Herst. Teile-Nr.:
STB6NK90ZT4
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

900V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46.5nC

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Verlustleistung Pd

140W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.4mm

Breite

9.35 mm

Höhe

4.6mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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