onsemi QFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 400 V / 10.5 A 135 W, 3-Pin TO-220

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 5,88

(ohne MwSt.)

€ 7,055

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 40 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 680 Einheit(en) mit Versand ab 05. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 +€ 1,176€ 5,88

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
671-5004
Herst. Teile-Nr.:
FQP11N40C
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

400V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

QFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

530mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

135W

Durchlassspannung Vf

1.4V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.1mm

Breite

4.7 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.4mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET QFET®, 6 A bis 10,9 A, Fairchild Semiconductor


Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.

Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links