onsemi PowerTrench N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 92 A 80 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 671-4875
- Herst. Teile-Nr.:
- FDP8896
- Hersteller:
- onsemi
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 92A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 80W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 9.4mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 4.83mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 92A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 80W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 9.4mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 4.83mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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