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  3. MOSFET

BS170 N-Kanal MOSFET, 60 V / 500 mA, 830 mW, TO-92 3-Pin


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671-4736
Herst. Teile-Nr.:
BS170
Hersteller:
ON Semiconductor
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N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor



EigenschaftWert
Channel-TypN
Dauer-Drainstrom max.500 mA
Drain-Source-Spannung max.60 V
GehäusegrößeTO-92
Montage-TypDurchsteckmontage
Pinanzahl3
Drain-Source-Widerstand max.5 Ω
Channel-ModusEnhancement
Gate-Schwellenspannung max.3V
Gate-Schwellenspannung min.0.8V
Verlustleistung max.830 mW
Transistor-KonfigurationEinfach
Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip1
Transistor-WerkstoffSi
Breite4.19mm
Länge5.2mm
Betriebstemperatur max.+150 °C
Höhe5.33mm
Betriebstemperatur min.-55 °C

02852/505
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