onsemi N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 500 mA 830 mW, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 671-4736
- Herst. Teile-Nr.:
- BS170
- Hersteller:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
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| 100 - 240 | € 0,257 | € 2,57 |
| 250 - 490 | € 0,222 | € 2,22 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 671-4736
- Herst. Teile-Nr.:
- BS170
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 500 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 5 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.8V | |
| Verlustleistung max. | 830 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 5.2mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.19mm | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 500 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 5 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.8V | ||
Verlustleistung max. 830 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 5.2mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.19mm | ||
Höhe 5.33mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.