onsemi NDT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.5 A 3 W, 4-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 671-1096
Herst. Teile-Nr.:: NDT2955
Hersteller:: onsemi

onsemi NDT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.5 A 3 W, 4-Pin SOT-223

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 3,26

(ohne MwSt.)

€ 3,91

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00

Lieferengpass

15 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Zusätzlich 79 525 Einheit(en) mit Versand ab 06. Februar 2026

Unsere Lagerkapazitäten sind begrenzt und die Zulieferer haben bereits Lieferengpässe angekündigt.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 +	€ 0,652	€ 3,26

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 671-1096
Herst. Teile-Nr.:: NDT2955
Hersteller:: onsemi

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	2.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	NDT
	Gehäusegröße	SOT-223
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	300mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	3W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	11nC
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	3.56 mm
	Höhe	1.6mm
	Länge	6.5mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie NDT
	Gehäusegröße SOT-223
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 300mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 3W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 3.56 mm
	Höhe 1.6mm
	Länge 6.5mm
	Automobilstandard Nein

P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor

Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.

Eigenschaften und Vorteile:

• Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter

• Zelldesign mit hoher Dichte

• Hoher Sättigungsstrom

• Hervorragende Schaltleistung

• Große robuste und zuverlässige Leistung

• DMOS-Technologie

Anwendungen:

• Lastschaltung

• DC/DC-Wandler

• Batterieschutz

• Stromüberwachungssteuerung

• Gleichstrommotor-Steuerung

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.