- RS Best.-Nr.:
- 651-8888
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR4104PBF
- Hersteller:
- Infineon
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 651-8888
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR4104PBF
- Hersteller:
- Infineon
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon
Motorsteuerungs-MOSFET
Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung.
Synchrongleichrichter-MOSFET
Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.
Der Infineon IRFR4104 ist der 40-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse. Dieser HEXFET-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen.
Advanced Prozesstechnologie
Extrem niedriger Einschaltwiderstand
175 °C Betriebstemperatur
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Extrem niedriger Einschaltwiderstand
175 °C Betriebstemperatur
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 119 A |
Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
Serie | HEXFET |
Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 6 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 140 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Länge | 6.73mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
Breite | 6.22mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Höhe | 2.39mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 651-8888
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR4104PBF
- Hersteller:
- Infineon