- RS Best.-Nr.:
- 650-4643P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLU9343PBF
- Hersteller:
- Infineon
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 650-4643P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLU9343PBF
- Hersteller:
- Infineon
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon
Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Der Infineon IRLU9343 ist der 55-V-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem P-Kanal in einem I-Pak-Gehäuse. Dieser digitale Audio-HEXFET wurde speziell für Klasse-D-Audioverstärkeranwendungen entwickelt. Dieser MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen.
Wiederholte Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit
Mehrere Gehäuseoptionen
175 °C Betriebstemperatur der Verbindung für Robustheit
Mehrere Gehäuseoptionen
175 °C Betriebstemperatur der Verbindung für Robustheit
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 20 A |
Drain-Source-Spannung max. | 55 V |
Gehäusegröße | IPAK (TO-251) |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 105 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 79 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Länge | 6.73mm |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Breite | 2.39mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
Höhe | 6.22mm |
Betriebstemperatur min. | -40 °C |
Serie | HEXFET |
- RS Best.-Nr.:
- 650-4643P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLU9343PBF
- Hersteller:
- Infineon