Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 7,7 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 543-1667
Herst. Teile-Nr.:: IRFR014PBF
Hersteller:: Vishay

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 7,7 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:: 543-1667
Herst. Teile-Nr.:: IRFR014PBF
Hersteller:: Vishay

IRFR014PBF Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	7,7 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	200 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	2,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	6.22mm
Länge	6.73mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	11 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	2.38mm

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 7,7 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor

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