Vishay IRFB11N50A N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 11 A 170 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 541-1944P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB11N50APBF
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | IRFB11N50A | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 520mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30, +30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.7mm | |
| Länge | 10.41mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie IRFB11N50A | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 520mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30, +30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.7mm | ||
Länge 10.41mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 9.01mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFB11N50A von Vishay, 500 V Drain-Source-Spannung, 11 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRFB11N50APBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für die Durchsteckmontage in der Industrie- und Leistungselektronik entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, unterstützt erhebliche Schaltströme und -spannungen und wird in einem TO-220AB-Gehäuse für eine einfache Kühlkörper- und Chassisbefestigung geliefert.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 500 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 11 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• Maximale Verlustleistung von 170 W ermöglicht erhebliche Leistungsschaltvorgänge
• 520 mΩ Rds(on) sorgt für vorhersehbare Leitungsverluste
• 52 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrolliertes Gate-Drive-Design
• Gate-Grenzwert von 30 V schützt vor übermäßigen Antriebsspannungen
• 11 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• Maximale Verlustleistung von 170 W ermöglicht erhebliche Leistungsschaltvorgänge
• 520 mΩ Rds(on) sorgt für vorhersehbare Leitungsverluste
• 52 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrolliertes Gate-Drive-Design
• Gate-Grenzwert von 30 V schützt vor übermäßigen Antriebsspannungen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für industrielle Motor-Antriebs-Schaltstufen
• Wird mit diskreten MOSFET-Baugruppen in Wechselrichtern verwendet
• Kann für Schaltregler und Steuerungen verwendet werden
• Geeignet für Laborstromprüfgeräte und Prototypen
• Ideal für industrielle Motor-Antriebs-Schaltstufen
• Wird mit diskreten MOSFET-Baugruppen in Wechselrichtern verwendet
• Kann für Schaltregler und Steuerungen verwendet werden
• Geeignet für Laborstromprüfgeräte und Prototypen
Welchen Temperaturbereich kann ich für Feld- und Lagerbedingungen erwarten?
Es funktioniert zwischen -55 °C und 150 °C und ermöglicht den Einsatz in rauen Umgebungsbedingungen.
Wie wird das Gerät in einem System montiert und gekühlt?
Das Durchsteckformat des TO-220AB ermöglicht das Verschrauben an einem externen Kühlkörper oder Chassis für eine verbesserte Wärmeübertragung.
Welche Überlegungen zum Gate-Drive sind wichtig, um Schäden zu vermeiden?
Halten Sie die Gate-Spannung innerhalb einer Grenze von 30 V und legen Sie den Treiber so aus, dass er ca. 52 nC lädt, um zuverlässig zu schalten.
Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf die Leitfähigkeit in Schaltkreisen aus?
Die Durchlassspannung von 1,5 V beeinflusst die Gesamtverluste des Systems während der Leitung und sollte in die thermischen und Effizienzberechnungen einbezogen werden.