Vishay Einfach N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Erweiterung / 8.5 A 167 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 541-1938
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB9N65APBF
- Hersteller:
- Vishay
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 541-1938
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- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 650 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 8.5 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 167 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 930 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | -30 V, +30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 650 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 8.5 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 167 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 930 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) -30 V, +30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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