Vishay IRLD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 2.5 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP

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Vishay N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 2,5 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP
RS Best.-Nr.
541-0525

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(inkl. MwSt.)

RS Best.-Nr.:
541-0632
Herst. Teile-Nr.:
IRLD024PBF
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

HVMDIP

Serie

IRLD

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

100mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.3W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

3.37mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.29 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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