STMicroelectronics STripFET IRF630 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9 A 75 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 486-0171
Herst. Teile-Nr.:: IRF630
Hersteller:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET IRF630 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9 A 75 W, 3-Pin TO-220

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125 - 245	€ 1,062	€ 5,31
250 +	€ 1,01	€ 5,05

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RS Best.-Nr.:: 486-0171
Herst. Teile-Nr.:: IRF630
Hersteller:: STMicroelectronics

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	9 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	STripFET
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	400 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	75 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	4.6mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	31 nC @ 10 V
Länge	10.4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	9.15mm
Betriebstemperatur min.	-65 °C

STMicroelectronics STripFET IRF630 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9 A 75 W, 3-Pin TO-220

N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics

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