STMicroelectronics MASTERG Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 6.5 A 40 mW, 31-Pin QFN-9

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RS Best.-Nr.:
287-7043
Herst. Teile-Nr.:
MASTERGAN4LTR
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

QFN-9

Serie

MASTERG

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

31

Drain-Source-Widerstand Rds max.

300mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.5nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

40mW

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Höhe

1mm

Länge

9mm

Breite

9 mm

Normen/Zulassungen

RoHS, ECOPACK

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH
Der STMicroelectronics-Mikrocontroller ist ein fortschrittliches Leistungssystem in einem Gehäuse, das einen Gate-Treiber und zwei GaN-Transistoren im Anreicherungsmodus in Halbbrückenkonfiguration integriert. Die integrierten Leistungs-GaNs haben einen RDS(ON) von 225 mΩ und eine Drain-Source-Sperrspannung von 650 V, während die hohe Seite des eingebetteten Gate-Treibers problemlos von der integrierten Bootstrap-Diode versorgt werden kann.

Nullverlust bei Rückwärtsfahrt

UVLO-Schutz bei VCC

Interne Bootstrap-Diode

Interlocking-Funktion

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