Vishay SQS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 192 A 119 W, 8-Pin 1212-8SLW

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RS Best.-Nr.:
280-0030
Herst. Teile-Nr.:
SQS120ELNW-T1_GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

192A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

SQS

Gehäusegröße

1212-8SLW

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0033Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

119W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.82V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

88nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

3.3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

VISHAYs Automotive MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

100 Prozent Rg und UIS-geprüft

AEC-Q101-qualifiziert

Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil

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