Vishay SIZF4800LDT N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 80 V Erweiterung / 36 A, 12-Pin 3 x 3FS
- RS Best.-Nr.:
- 280-0005
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZF4800LDT-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 280-0005
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZF4800LDT-T1-GE3
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- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 36A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | 3 x 3FS | |
| Serie | SIZF4800LDT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 12 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 80V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 36A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße 3 x 3FS | ||
Serie SIZF4800LDT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 12 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 80V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
VISHAYs MOSFET ist ein Dual-N-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.
TrenchFET-Leistungs-MOSFET
100 Prozent Rg und UIS-geprüft
Symmetrischer Dual-n-Kanal
Vollständig bleifreies Bauteil (Pb)
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