STMicroelectronics STW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung / 92 A 463 W, 4-Pin TO-247-4

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RS Best.-Nr.:
275-1382P
Herst. Teile-Nr.:
STW65N023M9-4
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

92A

Serie

STW

Gehäusegröße

TO-247-4

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

23mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Verlustleistung Pd

463W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

230nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

15.8 mm

Höhe

5mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der innovativsten Super-Junction MDmesh M9-Technologie, die für Mittel- oder Hochspannungs-MOSFETs mit sehr niedrigem RDS(on) pro Bereich geeignet ist. Die M9-Technologie auf Siliziumbasis profitiert von einem Multi-Drain-Fertigungsprozess, der eine verbesserte Gerätestruktur ermöglicht. Das resultierende Produkt verfügt über einen der niedrigsten Widerstände beim Einschalten und reduzierte Gate-Ladungswerte unter allen Silizium-basierten MOSFETs mit schneller Schaltfunktion, womit es besonders für Anwendungen geeignet ist, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.

Ausgezeichnete Schaltleistung

Einfach zu steuern

100 % Lawinengeprüft