Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 0.82 V / 23 A 390 W, 8-Pin PG-HSOF-8

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RS Best.-Nr.:
273-2796
Herst. Teile-Nr.:
IPT60R022S7XTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

23A

Drain-Source-Spannung Vds max.

0.82V

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Serie

IPT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

390W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

150nC

Durchlassspannung Vf

0.82V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS, JEDEC

Automobilstandard

Nein

Der MOSFET von Infineon ist ein 600 V CoolMOS SJ S7 Leistungsbauteil. Er bietet das beste Preis-Leistungs-Verhältnis für niederfrequente Schaltanwendungen. Der CoolMOS S7 verfügt über die niedrigsten Rdson-Werte für einen HV-SJ-MOSFET, was zu einer deutlichen Steigerung der Energieeffizienz führt. CoolMOS S7 ist optimiert für statisches Schalten und Hochstromanwendungen. Er eignet sich ideal für Halbleiterrelais und Unterbrecherkontakte sowie für die Netzgleichrichtung in Schaltnetzteil- und Wechselrichtertopologien.

Völlig bleifrei

RoHS-konform

Kürzere Schaltzeiten

Einfache Sichtprüfung der Leitungen

Minimierte Leitungsverluste

Kompakteres und einfacheres Design

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