Vishay SISS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 26.2 A 54.3 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 11,17

(ohne MwSt.)

€ 13,405

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 6 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45€ 2,234€ 11,17
50 - 95€ 2,016€ 10,08
100 - 245€ 1,622€ 8,11
250 - 995€ 1,588€ 7,94
1000 +€ 1,198€ 5,99

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
268-8349
Herst. Teile-Nr.:
SISS5710DN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8S

Serie

SISS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0315Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

54.3W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.3mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-TrenchFET-Leistungs-MOSFET der Generation 5 von Vishay ist bleifreies und halogenfreies Gerät. Es wird in Anwendungen wie synchrone Gleichrichtung, Motorantriebssteuerung, Netzteile eingesetzt.

Sehr geringe Verdienstzahl

ROHS-konform

UIS 100 Prozent getestet

Verwandte Links