Vishay SIS9634LDN Zweifach N-Kanal 4, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 6 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- RS Best.-Nr.:
- 268-8345
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS9634LDN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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- SIS9634LDN-T1-GE3
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Zweifach N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 | |
| Serie | SIS9634LDN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, UIS tested 100 percent | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 4 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Zweifach N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 | ||
Serie SIS9634LDN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, UIS tested 100 percent | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 4 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der TrenchFET-Leistungs-MOSFET der 4. Generation mit zwei N-Kanälen von Vishay ist vollständig bleifreies und halogenfreies Gerät. Es ist optimiert und das Verhältnis verringert den schaltungsbedingten Leistungsverlust und wird in Anwendungen wie Synchrongleichrichtung, Motorantriebskontrast eingesetzt.
ROHS-konform
UIS-geprüft zu 100 Prozent
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