Vishay SIS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 69.4 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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RS Best.-Nr.:
268-8342
Herst. Teile-Nr.:
SIS184LDN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

69.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Serie

SIS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0054Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41nC

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

3.3mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-TrenchFET-Leistungs-MOSFET der Generation 5 von Vishay ist bleifreies und halogenfreies Gerät. Es wird in Anwendungen wie synchrone Gleichrichtung, Motorantriebsschalter, Batterie- und Lastschalter verwendet.

Sehr geringe Verdienstzahl

ROHS-konform

UIS 100 Prozent getestet

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