Vishay SIJH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 174 A 333 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
268-8325
Herst. Teile-Nr.:
SIJH5700E-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

174A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

SIJH

Gehäusegröße

PowerPAK (8x8L)

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0041Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

333W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

7.9mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-TrenchFET-Leistungs-MOSFET der Generation 5 von Vishay ist vollständig bleifreies Gerät. Es wird in Anwendungen wie synchrone Gleichrichtung, Motorantriebssteuerung, Batteriemanagement verwendet.

Sehr geringe Verdienstzahl

ROHS-konform

UIS 100 Prozent getestet

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