Vishay SIHP N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 22 A 179 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 268-8320
Herst. Teile-Nr.:: SIHP150N60E-GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay SIHP N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 22 A 179 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:: 268-8320
Herst. Teile-Nr.:: SIHP150N60E-GE3
Hersteller:: Vishay

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	22A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	SIHP
	Gehäusegröße	JEDEC TO-220AB
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.158Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	36nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	179W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie SIHP
	Gehäusegröße JEDEC TO-220AB
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.158Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 179W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHP150N60E-GE3

Ursprungsland:: CN

MOSFET der SIHP-Serie von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 22 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHP150N60E-GE3

Dieser N-Kanal-MOSFET ist ein Hochspannungs-Leistungstransistor, der für Schalt- und Verstärkungsaufgaben in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet zuverlässig über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für die herkömmliche Leiterplattenmontage geeignet ist. Das Gerät entspricht den RoHS-Richtlinien und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine hohe Spannungsbelastbarkeit und eine moderate Strombelastbarkeit erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Die Ablassleistung von 650 V ermöglicht den Einsatz bei Hochspannungsschaltvorgängen
• 22 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützen einen dauerhaften Lastfluss
• 0,158 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Leistungspfaden
• Eine typische Gate-Ladung von 36 nC ermöglicht vorhersehbare Schaltprofile
• 179 W maximale Verlustleistung bewältigt erhebliche thermische Belastung

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungs-SMPS-Primärschaltung
• Ideal für industrielle Motorwechselrichterstufen
• Wird mit Stromversorgungen in der Telekommunikationsgleichrichtung verwendet
• Kann für Front-Ends von Photovoltaik-Frequenzumrichtern verwendet werden

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten bei der Antriebsentwicklung beachtet werden?

Das Gate darf nicht über ±30 V gegenüber der Quelle angesteuert werden, um eine Gate-Oxidbelastung zu vermeiden und langfristige Zuverlässigkeit zu gewährleisten.

Wie wirkt sich das Wärmemanagement auf die praktische Stromverwaltung aus?

Die Verlustleistung von 179 W erfordert ausreichende Kühlkörper und eine thermische Schnittstelle, um die Sperrschichttemperatur unter 150 °C bei kontinuierlicher Belastung zu halten.

Welchen Umgebungstemperaturbereich können Systeme um dieses Gerät herum erwarten?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit extremer Kälte und erhöhten thermischen Bedingungen bei korrekter Montage.

Wie wirkt sich der Kanalmodus des Geräts auf das Schaltkreisverhalten aus?

Als N-Kanal-Gerät mit Enhancement-Modus bleibt es bei Null-Gate-Vorspannung ausgeschaltet und erfordert einen positiven Gate-Antrieb zur Durchführung, was die Steuerung in Low-Side- und High-Side-Topologien vereinfacht.