ROHM RV2E014AJ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.4 A 600 mW, 3-Pin SMD
- RS Best.-Nr.:
- 267-2431P
- Herst. Teile-Nr.:
- RV2E014AJT2CL
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SMD | |
| Serie | RV2E014AJ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 290mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 600mW | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SMD | ||
Serie RV2E014AJ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 290mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 600mW | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM RV2E014AJ ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Gehäuse für hohe Leistungen, das sich zum Schalten eignet.
Geringer Einschaltwiderstand, Starkstrom
Hochleistungsgehäuse in kleiner Bauform DFN1006
Pb-freie Leitungsbeschichtung ; RoHS-konform
Halogenfrei