ROHM RV2E014AJ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.4 A 600 mW, 3-Pin SMD

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RS Best.-Nr.:
267-2431
Herst. Teile-Nr.:
RV2E014AJT2CL
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

RV2E014AJ

Gehäusegröße

SMD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

290mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

600mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der ROHM RV2E014AJ ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Gehäuse für hohe Leistungen, das sich zum Schalten eignet.

Geringer Einschaltwiderstand, Starkstrom

Hochleistungsgehäuse in kleiner Bauform DFN1006

Pb-freie Leitungsbeschichtung ; RoHS-konform

Halogenfrei

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