ROHM N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 39 A, 4-Pin TO-247-4L

Der ROHM-MOSFET ist ein SiC-MOSFET mit einer Trench-Gate-Struktur, die für Server-Netzteile, Solar-Wechselrichter und EV-Ladestationen optimiert ist, die einen hohen Wirkungsgrad erfordern. Es wird ein neues 4-poliges Gehäuse verwendet, das die Stromversorgungs- und Treiberquellen-Anschlussklemmen trennt, wodurch es möglich ist, die Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung zu maximieren. Dies verbessert insbesondere die EIN-Verluste, und infolgedessen können die gesamten EIN- und AUS-Verluste im Vergleich zum herkömmlichen 3-poligen Gehäuse um bis zu 35 % reduziert werden.

Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfach zu betreiben
Bleifreie Leiterbeschichtung
Schnelle umgekehrte Erholung