ROHM RD3R02BBH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 6 V / 50 A 50 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
266-3852
Herst. Teile-Nr.:
RD3R02BBHTL1
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

6V

Serie

RD3R02BBH

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

81mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von ROHM mit niedrigem Einschaltwiderstand und Hochleistungsgehäuse, geeignet für das Schalten.

Bleifreie Beschichtung

RoHS-konform

Halogenfrei

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