Microchip Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET MOSFET 400 V / 4 A 0.36 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
264-8922
Herst. Teile-Nr.:
TN2640K4-G
Hersteller:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

400V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

MOSFET

Maximale Verlustleistung Pd

0.36W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-MOSFET von Microchip mit niedrigem Schwellenwert-Verbesserungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Silizium-Gate-Herstellungsprozess. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Niedriger Schwellenwert (max. 2,0 V)

Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Frei von sekundären Störungen

Niedrige Eingangs- und Ausgangslecks

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