ROHM RQ5E040TN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 4 A 1 W, 3-Pin SOT-346
- RS Best.-Nr.:
- 264-3829
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ5E040TNTL
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-346 | |
| Serie | RQ5E040TN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 48mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.9nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | Pb-free lead plating, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-346 | ||
Serie RQ5E040TN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 48mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.9nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen Pb-free lead plating, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der Kleinsignal-MOSFET von ROHM ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich zum Schalten eignet und ein kleines Gehäuse für die Oberflächenmontage besitzt. Pb-freie Bleiplattierung; RoHS-konform und AEC-Q101-qualifiziert.
Eingebaute G-S-Schutzdiode
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