Infineon iPB N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 191 A, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 262-5850P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB014N04NF2SATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 262-5850P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB014N04NF2SATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 191A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | iPB | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.15mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 191A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie iPB | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.15mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungstransistor von Infineon ist für eine Vielzahl von Anwendungen optimiert und zu 100 Prozent gegen Lawinen getestet.
Bleifreie Kabelbeschichtung
RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21