Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 43 V / 43 A, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
262-5480
Herst. Teile-Nr.:
IRFP3415PBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

43A

Drain-Source-Spannung Vds max.

43V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Leistungs-MOSFETs aus Infineons IR MOSFET-Familie basieren auf bewährten Siliziumprozessen und bieten Entwicklern ein breites Portfolio an Bauelementen für verschiedene Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, Schaltnetzteile, Beleuchtungen, Lastschalter und batteriebetriebene Anwendungen. Die Teile sind in einer Vielzahl von oberflächenmontierten und durchkontaktierten Gehäusen mit Standard-Footprints erhältlich, die das Design erleichtern.

Planare Zellstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard

Hohe Strombelastbarkeit

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Hohe Leistung in Niederfrequenzanwendungen

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