Renesas Electronics 2SK1317 2SK1317-E N-Kanal MOSFET Transistor 1500 V / 7 A, 3-Pin SC-65
- RS Best.-Nr.:
- 261-5961
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK1317-E
- Hersteller:
- Renesas Electronics
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Informationen zur Produktgruppe
Der Renesas 2SK1317-E N-Kanal ist ein Hochgeschwindigkeits-Leistungsschalt-MOSFET. Der Silizium-N-Kanal-MOSFET hat einen niedrigen Antriebsstrom und eine hohe Durchschlagsspannung, d. h. (Vdss = 1500 V).Er ist geeignet für Schaltregler, DC/DC-Wandler und Motortreiber.
Betriebstemperatur (max.) = 150 °C
Maximale Verlustleistung = 100 W
Maximale Gate-Schwellenspannung = 4 V
Maximale Verlustleistung = 100 W
Maximale Gate-Schwellenspannung = 4 V
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 7 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 1500 V |
| Gehäusegröße | SC-65 |
| Serie | 2SK1317 |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 12 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |