STMicroelectronics MDmesh K6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 800 V / 10 A, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 261-5484
- Herst. Teile-Nr.:
- STP80N450K6
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | MDmesh K6 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.6Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25.9nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie MDmesh K6 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.6Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25.9nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit sehr hoher Spannung von STMicroelectronics wurde mit der ultimativen MDmesh K6-Technologie entwickelt, die auf der Super-Junction-Technologie basiert. Das Ergebnis ist der beste Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Bereich und Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.
Weltweit beste RDS(on) x Fläche
Weltweit beste FOM (Figure of Merit)
Extrem niedrige Gate-Ladung
100 % Lawinengeprüft
Zenergeschützt
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