ROHM RS6G100BG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 100 A 59 W, 8-Pin HSOP

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RS Best.-Nr.:
260-6156
Herst. Teile-Nr.:
RS6G100BGTB1
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

HSOP

Serie

RS6G100BG

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.4mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

59W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM hat einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine maximale Verlustleistung von 59 Watt. Es wird in einem leistungsstarken kleinen Gehäuse HSOP8 geliefert und wird für Schaltanwendungen verwendet.

Halogenfrei

RoHS-konform

Bleifreie Beschichtung

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