Infineon BSZ Typ N-Kanal MOSFET N 30 V / 61 A, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 260-5079P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ0506NSATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 260-5079P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ0506NSATMA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 61A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Serie | BSZ | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.4Ω | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 61A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Serie BSZ | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.4Ω | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-OptiMOS-Leistungs-MOSFET von Infineon arbeitet im Enhancement-Modus und ist für Hochleistungs-Abwärtswandler optimiert.
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