Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 13.3 A, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
260-1100
Herst. Teile-Nr.:
IPB95R450PFD7ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

950V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Infineon 950V CoolMOS PFD7-Serie setzt einen neuen Maßstab in den Super Junction (SJ)-Technologien. Diese Technologie wurde für Beleuchtungs- und industrielle SMPS-Anwendungen entwickelt, indem sie erstklassige Leistung mit modernster Benutzerfreundlichkeit kombiniert. Im Vergleich zu den CoolMOS P7-Familien bietet die PFD7 eine integrierte ultraschnelle Gehäusediode, die den Einsatz in Resonanztopologien mit der am Markt niedrigsten umgekehrten Wiederherstellungsladung (Qrr) ermöglicht.

Beste CoolMOS-Qualität und Zuverlässigkeit

Bestes RDS (Ein) in THD- und SMD-Gehäusen

ESD-Schutzklasse 2 (HBM)

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