Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 310 A, 8-Pin WHSON

Die Infineon-MOSFETs ermöglichen die Verbindung des Quellpotenzials mit der Leiterplatte über das thermische Pad, was mehrere Vorteile bietet, wie z. B. erhöhte thermische Kapazität, verbesserte Leistungsdichte oder verbesserte Layoutmöglichkeiten. Es verfügt außerdem über die reduzierten Anforderungen an die aktive Kühlung und das effektive Layout für die thermische Steuerung, was auf Systemebene von Vorteilen ist.

Verbesserte Leiterplattenverluste
Ermöglicht höchste Leistungsdichte und Leistung
Überlegene thermische Leistung
Optimierte Layoutmöglichkeiten