Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 50 A TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 259-1554
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50N04S4L08ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | IPD | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.30mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie IPD | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.30mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 40 V Drain-Source-Spannung, 50 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPD50N04S4L08ATMA1
Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Transistor, der für Leistungsschalt- und Hochstromanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und erfüllt die RoHS-Anforderungen, wodurch er sich für Anwendungen eignet, bei denen die Einhaltung eingeschränkter Stoffe und eine kompakte Oberflächenmontage wichtig sind.
Merkmale und Vorteile:
• 7,3 mΩ Rds(on) liefern niedrige Leitungsverluste
• 40 V Vds ermöglicht das Schalten bei mittlerer Spannung
• 50 A Id für eine hohe Dauerstromkapazität
• TO-252-Gehäuse zur Unterstützung der kompakten SMD-Baugruppe
• Nenntemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C ermöglicht einen breiten thermischen Betrieb
• 40 V Vds ermöglicht das Schalten bei mittlerer Spannung
• 50 A Id für eine hohe Dauerstromkapazität
• TO-252-Gehäuse zur Unterstützung der kompakten SMD-Baugruppe
• Nenntemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C ermöglicht einen breiten thermischen Betrieb
Anwendungsbereich
• Wird mit Hochstrommotortreibern verwendet
• Geeignet für Batteriemanagement und Stromschienen
• Ideal für Ausgangsstufen von DC/DC-Wandlern
• Kann zum Schalten von Lasten in rauen Umgebungen verwendet werden
• Wird für die Stromverteilung in kompakter Elektronik verwendet
• Geeignet für Batteriemanagement und Stromschienen
• Ideal für Ausgangsstufen von DC/DC-Wandlern
• Kann zum Schalten von Lasten in rauen Umgebungen verwendet werden
• Wird für die Stromverteilung in kompakter Elektronik verwendet
Welche Befestigungsart wird verwendet?
Er wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konfiguriert ist.
Ist das Gerät für die Qualifizierung im Automobilbereich geeignet?
Die Komponente entspricht nicht den Automobilstandards.
Welche gesetzlichen Vorschriften erfüllt es für gefährliche Stoffe?
Er entspricht den RoHS-Anforderungen für eingeschränkte Stoffe.
Welcher Kanaltyp und welche Polarität werden bereitgestellt?
Der Transistor ist ein N-Kanal-Gerät mit N-Kanal-Polarität.