Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET / 5 A, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 258-8195
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7205TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-8195
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7205TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.13Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Breite | 4mm | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.13Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Breite 4mm | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||