Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 64 A 130 W TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 258-3989
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ48NSTRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 258-3989
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ48NSTRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 64A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.014Ω | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 130W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 81nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 64A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.014Ω | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 130W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 81nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die HEXFET-Leistungs-MOSFETs von Infineon von International Rectifier verwenden fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2Pak ist ein SMD-Leistungsgehäuse, das Matrizengrößen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistungsfähigkeit und den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in jedem vorhandenen SMD-Gehäuse. Der D2Pak ist aufgrund seines geringen internen Anschlusswiderstands für Hochstromanwendungen geeignet und kann bis zu 2,0 W in einer typischen SMD-Anwendung ableiten.
Erweiterte Prozesstechnologie
Oberflächenmontage
Flache Durchgangsbohrung
Betriebstemperatur: 175 °C
Schnelles Schalten
Vollständig lawinenbeständig
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