Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 247 A HSOF

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*

€ 3.130,00

(ohne MwSt.)

€ 3.756,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 24. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2000 +€ 1,565€ 3.130,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
258-3902
Herst. Teile-Nr.:
IPT019N08N5ATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

247A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

IPT

Gehäusegröße

HSOF

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS 5 80 V in TO-Leadless-Gehäuse ist ideal für hohe Schaltfrequenzen geeignet. Dieses Gehäuse wurde speziell für Hochstromanwendungen wie Gabelstapler, leichte Elektrofahrzeuge, POL und Telekommunikation entwickelt. Mit einer Platzreduzierung von 60 % im Vergleich zum 7-poligen D2PAK-Gehäuse ist TO-Leadless die perfekte Lösung, wenn höchste Effizienz, hervorragendes elektromagnetisches Verhalten sowie bestes thermisches Verhalten und Platzreduzierung erforderlich sind.

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

Ideal für hohe Schaltfrequenz

Weniger Parallelführung erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

Verwandte Links