Infineon, SMD MOSFET 650 V / 24 A PG-TDSON-8

Der Infineon 600 V CoolMOS PFD7 Super Junction MOSFET ergänzt das CoolMOS 7-Angebot für Verbraucheranwendungen. Der CoolMOS PFD7 Super-Junction-MOSFET in einem ThinPAK 5x6-Gehäuse verfügt über einen RDS(on) von 360 mOhm, was zu niedrigen Schaltverlusten führt. Dieses Gehäuse zeichnet sich durch eine sehr kleine Abmessung von 5 x 6 mm2 und ein sehr flaches Profil mit einer Höhe von 1 mm aus. Zusammen mit der niedrigen Parasität führen diese Merkmale zu erheblich kleineren Formfaktoren und helfen dabei, die Leistungsdichte zu steigern. Die CoolMOS PFD7-Produkte werden mit einer schnellen Gehäusediode geliefert, die ein robustes Gerät gewährleistet und wiederum die Materialkosten für den Kunden verringert.

Integrierte robuste schnelle Gehäuse-Diode
ESD-Schutz bis zu 2 kV
Ausgezeichnete Schaltfestigkeit
Niedrige elektromagnetische Störungen
BOM-Kostenreduzierung und einfache Fertigung
Robustheit und Zuverlässigkeit
Einfache Auswahl der richtigen Teile für die Feinabstimmung des Designs