Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus IPG20N06S4L-11 Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 20 A 65 W TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-3879P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N06S4L11ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N06S4L11ATMA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | IPG20N06S4L-11 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie IPG20N06S4L-11 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der OptiMOS T2-Leistungstransistor von Infineon ist ein Dual Super S08, der mehrere DPAKs ersetzen kann, um erhebliche Einsparungen auf der Leiterplatte zu erreichen und die Kosten auf Systemebene zu senken. Das freiliegende Pad bietet ausgezeichnete Wärmeübertragung, zwei N-Kanal-MOSFETs in einem Gehäuse mit 2 isolierten Kabelrahmen.
Zweifach-N-Kanal-Logikpegel – Enhancement-Modus
AEC Q101-qualifiziert
MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow
Betriebstemperatur: 175 °C
Grünes Produkt (RoHS-konform)
100 % Lawinengeprüft